Qualcomm ha lanzado el Snapdragon 8 Élite como su último SoC insignia para dispositivos móviles. El nuevo chip cuenta con una potencia y eficiencia excepcionales, lo que lo convierte en candidato al premio al chip del año. Como era de esperar, el Snapdragon 8 Elite admite las últimas tecnologías de memoria y almacenamiento para ofrecer el máximo rendimiento. Esto incluye la última generación de memoria/RAM LPDDR5X de Micron.
El chip Snapdragon 8 Elite admite la memoria LPDDR5X más rápida de Micron
Filtraciones sobre el Snapdragon 8 Élite mencionó que el chip admitiría módulos RAM LPDDR5X. Esto sugirió que podría no haber mejoras en la velocidad en este departamento. Sin embargo, Micron, un proveedor de memoria, ha estado trabajando para mejorar su solución RAM LPDDR5X. El resultado es una memoria más rápida y eficiente que nunca.
La última generación de Memoria LPDDR5X de Micron cuenta con una alta velocidad de 9,6 gigabits por segundo. Esto representa un aumento del 12% en el ancho de banda máximo en comparación con la generación anterior de memoria LPDDR5X de la compañía (8,5 Gbps). Esto también equivale al ancho de banda de la memoria LPDDR5T de SK Hynix. El Snapdragon 8 Élite admite módulos RAM con una velocidad de reloj de hasta 5,3 GHz.
El rendimiento de la RAM es clave en la era de la IA
El proceso de fabricación de la memoria es tan importante como lo es el de los conjuntos de chips. Entonces, Micron recurrió a su avanzada tecnología de proceso 1β (1-beta) para obtener su solución RAM más rápida. Esto da como resultado una mayor eficiencia y un menor consumo de energía. Las propiedades de la memoria LPDDR5X de nueva generación de Micron son ideales para la actualidad dominada por la IA. tecnología industria.
La RAM juega un papel especialmente importante en la inteligencia artificial era, especialmente cuando se trata de procesamiento en el dispositivo. Los dispositivos potentes como los modelos Vanilla y Plus de iPhone 15 quedaron fuera de la lista de soporte de Apple Intelligence principalmente debido a limitaciones de RAM.
También es compatible con el almacenamiento UFS 4.0 de Micron integrado
El último Snapdragon 8 Elite también es compatible con el almacenamiento UFS 4.0 de Micron. Esto permite velocidades de lectura ultrarrápidas de 4300 megabytes por segundo (MBps). También garantiza velocidades de escritura de hasta 4.000 megabytes por segundo. La RAM y el almacenamiento compatibles con el Snapdragon 8 Elite son fundamentales para el alto rendimiento y la eficiencia que presume.
Fuente: Android Headlines